PHOENIX CONTACT ST 2,5-TWINN層排線撞右限位開關(guān)后還需繼續(xù)移動的距離M2=N*D1*L2/H2
M2=撞右限位開關(guān)后的位移距離。 N=排線層數(shù),也就是撞右限位的次數(shù)。
D1=線材的高度,圓材線為直徑。 L2=右錐度的總長度。
H2=右排線錐度的總高度。
為保證排線在錐型區(qū)域的整齊排線,M1、M2應(yīng)為排線寬度D2的整數(shù)倍。因此,實際使用時,M1、M2運算取整。
M1=[(N*D1*L1/H1)/D2]*D2 [ ]為數(shù)學(xué)取整,就是等于1才有效,小于1舍去。
M2=[(N*D1*L2/H2)/D2]*D2
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式中:M1=左撞限位后的行走距離, N=排線層數(shù),也就是撞限次數(shù)。
D1=線材的高度,圓材線為直徑。 L1=左邊錐度的總長距離。
H1=左邊錐度盤的總高度。 D2=線材的寬度,圓材線為直徑。
M2=右撞限位后的行走距離, N=排線層數(shù),也就是撞限次數(shù)。
D1=線材的高度,圓材線為直徑。 L2=右邊錐度的總長距離。
H2=右邊錐度盤的總高度。 D2=線材的寬度,圓材線為直徑。
PHOENIX CONTACT ST 2,5-TWIN距離M1對應(yīng)排線機旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)R1=M1/C。
R1=排線電機左行撞限后的旋轉(zhuǎn)圈數(shù)。 M1=左撞限運行距離。
C=排線電機每運行一周的排線位移距離。
距離M2對應(yīng)排線機旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)R2=M2/C。
R2=排線電機右行撞限后的旋轉(zhuǎn)圈數(shù)。 M2=右撞限運行距離。
C=排線電機每運行一周的排線位移距離。
排線機每分鐘旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)E=F* N0/Fe。
E=排線電機每分鐘的運行轉(zhuǎn)圈數(shù)。 F=排線電機的運行頻率。
N0=同步速度。 Fe=排線機的額定頻率。
l Invensys Foxboro(福克斯波羅):I/A Series系統(tǒng),F(xiàn)BM(現(xiàn)場輸入/輸出模塊)順序控制、梯形邏輯控制、事故追憶處理、數(shù)模轉(zhuǎn)換、輸入/輸出信號處理、數(shù)據(jù)通信及處理等。
l Invensys Triconex: 冗余容錯控制系統(tǒng)、基于三重模件冗余(TMR)結(jié)構(gòu)的現(xiàn)代化的容錯控制器。
l Westinghouse(西屋): OVATION系統(tǒng)、WDPF系統(tǒng)、WEStation系統(tǒng)備件。
l Rockwell Allen-Bradley: Reliance瑞恩、SLC500/1747/1746、MicroLogix/1761/1763/1762/1766/1764、CompactLogix/1769/1768、Logix5000/1756/1789/1794/1760/1788、PLC-5/1771/1785等。
l Schneider Modicon(施耐德莫迪康):Quantum 140系列處理器、控制卡、電源模塊等。
l ABB:工業(yè)機器人備件DSQC系列、Bailey INFI 90等。
l Siemens(西門子):Siemens MOORE, Siemens Simatic C1,Siemens數(shù)控系統(tǒng)等。
B 6ES5340-3KB42
B 130 / 150 memory module compact version 64k RAM
B
B 6ES5340-5AA21
B 130 / 150 memory card
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B 6ES5340-5AB11
B de
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B 6ES5340-5AB32
B 130 / 150 memory card
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B 6ES5341-3AA11
B SIMATIC S5, 341 EXTERNAL MEMORY INTERFACE, parity module
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B 6ES5345-0LA11
B de
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B 6ES5350-3KA12
B S5 350 memory module compact version
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B 6ES5350-3KA21
B 130 / 150 memory module compact version
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B S5 350 memory module compact version
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B 130 / 150 memory module compact version
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B 135 / 155 memory module
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B 6ES5350-5KA21
B S5 350 memory module